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PSMN015-100B,118  与  IPB144N12N3 G  区别

型号 PSMN015-100B,118 IPB144N12N3 G
唯样编号 A36-PSMN015-100B,118 A-IPB144N12N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12.3mΩ
上升时间 - 9 nS
公司名称 - OptiMOS
Qg-栅极电荷 - 49nC
标准包装数量 - 1000
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 31S
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 75A 56A
配置 - Single
标准断开延迟时间 - 24 nS
输入电容 4900pF -
长度 - 10mm
下降时间 - 4 nS
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 100V 120V
Pd-功率耗散(Max) 300W 107W
107 W - Pd - 功率消耗
输出电容 390pF -
典型关闭延迟时间 - 24ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - IPB144N12
通道数量 - 1Channel
37 nC - Qg - 闸极充电
Rds On(max)@Id,Vgs 15mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 16ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN015-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-100B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 100V 75A

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 3,000 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB144N12N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB144N12N3GATMA1_120V 56A 12.3mΩ 20V 107W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRF3710ZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF3710STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@28A,10V N-Channel 100V 57A D2PAK

暂无价格 0 对比

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